“W” 共 52 个型号· 4 ms

  • STTH80L065WLY工业级

    Automotive 650 V, 80 A ultrafast low forward voltage drop rectifier

    厂商 意法半导体封装 DO-247工作温度 -40 ~ 175 °C封装 DO-247
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  • MASTERGAN1工业级

    High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT

    厂商 意法半导体工作温度 -40 ~ 125 °C
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  • MASTERGAN1L工业级

    600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver

    厂商 意法半导体工作温度 -40 ~ 125 °C
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  • MASTERGAN2工业级

    High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT

    厂商 意法半导体工作温度 -40 ~ 125 °C
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  • MASTERGAN4工业级

    High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT

    厂商 意法半导体工作温度 -40 ~ 125 °C
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  • MASTERGAN4L工业级

    600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver

    厂商 意法半导体工作温度 -40 ~ 125 °C
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  • MASTERGAN6工业级

    650 V GaN half-bridge with gate driver and protections

    厂商 意法半导体工作温度 -40 ~ 125 °C
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  • MASTERGAN7工业级

    650 V GaN half-bridge with gate driver and protections

    厂商 意法半导体工作温度 -40 ~ 125 °C
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  • NUS1204MN工业级

    Overvoltage Protection IC with Integrated MOSFET

    厂商 安森美封装 WDFN6工作温度 -40 ~ 85 °C封装 WDFN6
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  • STDRIVEG210工业级

    220 V high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

    厂商 意法半导体工作温度 -40 ~ 125 °C
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  • STDRIVEG211工业级

    220 V high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

    厂商 意法半导体工作温度 -40 ~ 125 °C
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  • STDRIVEG212工业级

    220 V high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

    厂商 意法半导体工作温度 -40 ~ 125 °C
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  • STDRIVEG610工业级

    High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

    厂商 意法半导体工作温度 -40 ~ 125 °C
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  • STDRIVEG611工业级

    High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

    厂商 意法半导体工作温度 -40 ~ 125 °C
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  • STDRIVEG612工业级

    High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

    厂商 意法半导体工作温度 -40 ~ 125 °C
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  • STPSC10065工业级

    650 V, 10 A low VF power Schottky silicon carbide diode

    厂商 意法半导体工作温度 -40 ~ 175 °CVDS 650 V
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  • STPSC10065DLF工业级

    650 V, 10 A power Schottky silicon carbide diode

    厂商 意法半导体封装 POWERFLAT8X8工作温度 -40 ~ 175 °CVDS 650 V
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  • STPSC10G065工业级

    650 V, 10 A high surge silicon carbide power Schottky diode

    厂商 意法半导体工作温度 -55 ~ 175 °CVDS 650 V
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  • 650 V, 10 A power Schottky silicon carbide diode

    厂商 意法半导体封装 POWERFLAT8X8工作温度 -40 ~ 175 °CVDS 650 V
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  • STPSC10H065G2工业级

    650 V, 10 A high surge silicon carbide power Schottky diode

    厂商 意法半导体工作温度 -40 ~ 175 °CVDS 650 V
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