NTLEF1D0N10GN1
量产SiC / GaN 宽禁带器件RDS(on) 0.8 mΩ
Enhancement Mode Gallium Nitride (GaN) HEMT 100 V, 0.8 mOhm, TBD A, PDSO‐N8
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NTLEF1D0N10GN1 主要参数
来源：原厂数据手册| RDS(on) | 0.8 mΩ |
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Enhancement Mode Gallium Nitride (GaN) HEMT 100 V, 0.8 mOhm, TBD A, PDSO‐N8
| RDS(on) | 0.8 mΩ |
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