NTLEF3D6N20GN1
量产SiC / GaN 宽禁带器件
Enhancement Mode Gallium Nitride (GaN) HEMT 200 V, 2.6 m , TBD A, PDSO‐N8 5.0x6.0
- 手册
- 6 页 · 504 KB
技术文档
1 份文档数据手册
替代料
0 个暂未收录 NTLEF3D6N20GN1 的替代料信息。
Enhancement Mode Gallium Nitride (GaN) HEMT 200 V, 2.6 m , TBD A, PDSO‐N8 5.0x6.0