NTLEF2D5N10GN1

量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 100 VID 275 ARDS(on) 1.9 mΩ

Enhancement Mode Gallium Nitride (GaN) HEMT 100 V, 1.9 mOhm, 275 A, PDSO‐N8 5.0x6.0

手册
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NTLEF2D5N10GN1 主要参数

来源：原厂数据手册
VDS100 V
ID275 A
RDS(on)1.9 mΩ

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