NTLEF5D0N10GN1
量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 100 VID 147 ARDS(on) 3.8 mΩ
NTLEF5D0N10GN1 - Enhancement Mode Gallium Nitride (GaN) HEMT 100 V, 3.8 mOhm, 147 A, PDSO‐N8 5.0x6.0
- 手册
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NTLEF5D0N10GN1 主要参数
来源：原厂数据手册| VDS | 100 V |
|---|---|
| ID | 147 A |
| RDS(on) | 3.8 mΩ |
技术文档
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替代料
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