NTMT170N70GN1
量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 700 VID 12 ARDS(on) 132 mΩ
Enhancement Mode Gallium Nitride (GaN) HEMT 700 V, 132 mΩ, 12 A, PTFP‐N9 (DFN)
- 手册
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NTMT170N70GN1 主要参数
来源：原厂数据手册| VDS | 700 V |
|---|---|
| ID | 12 A |
| RDS(on) | 132 mΩ |
技术文档
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替代料
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