NTBL023N65GN1

量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 650 VID 92 ARDS(on) 16 mΩ

Enhancement Mode Gallium Nitride (GaN) HEMT 650 V, 16 mΩ, 92 A, PDSO‐F9

手册
6 页 · 539 KB

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NTBL023N65GN1 主要参数

来源:原厂数据手册
VDS650 V
ID92 A
RDS(on)16 mΩ

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