NTBL050N65GN1
量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 650 VID 40 ARDS(on) 39 mΩ
Enhancement Mode Gallium Nitride (GaN) HEMT 650 V, 39 mohm, 40 A, PDSO-F9
- 手册
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NTBL050N65GN1 主要参数
来源：原厂数据手册| VDS | 650 V |
|---|---|
| ID | 40 A |
| RDS(on) | 39 mΩ |
技术文档
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替代料
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