NTBT035N65GN1
量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 650 VID 64 ARDS(on) 27 mΩ
Enhancement Mode Gallium Nitride (GaN) HEMT 650 V, 27 mohm, 64 A, PDSO-G16
- 手册
- 10 页 · 361 KB
NTBT035N65GN1 主要参数
来源:原厂数据手册| VDS | 650 V |
|---|---|
| ID | 64 A |
| RDS(on) | 27 mΩ |
技术文档
1 份文档数据手册
替代料
0 个暂未收录 NTBT035N65GN1 的替代料信息。