NTC160N120SC1
量产SiC / GaN 宽禁带器件RDS(on) 160 mΩ
Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 160 mohm, 1200 V, M1, Bare Die
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NTC160N120SC1 主要参数
来源:原厂数据手册| RDS(on) | 160 mΩ |
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Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 160 mohm, 1200 V, M1, Bare Die
| RDS(on) | 160 mΩ |
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