NTC160N120SC1

量产SiC / GaN 宽禁带器件RDS(on) 160 mΩ

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 160 mohm, 1200 V, M1, Bare Die

手册
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NTC160N120SC1 主要参数

来源:原厂数据手册
RDS(on)160 mΩ

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