NTC080N120SC1

状态未知SiC / GaN 宽禁带器件RDS(on) 80 mΩ

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, Die

手册
8 页 · 225 KB · Rev. 2

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NTC080N120SC1 主要参数

来源:原厂数据手册
RDS(on)80 mΩ

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