NTBL045N065SC1
量产SiC / GaN 宽禁带器件RDS(on) 33 mΩ
Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 33 mohm, 650 V, M2, TOLL
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NTBL045N065SC1 主要参数
来源:原厂数据手册| RDS(on) | 33 mΩ |
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Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 33 mohm, 650 V, M2, TOLL
| RDS(on) | 33 mΩ |
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