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  • RHFL6000A军工/航天级QML-VRHA

    2 A rad-hard adjustable positive voltage regulator

    厂商 意法半导体输入电压 2.5 ~ 12 V
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  • RHFL6000L军工/航天级RHA

    2 A Rad-hard adjustable positive linear voltage regulator

    厂商 意法半导体工作温度 -55 ~ 125 °C输入电压 2.5 ~ 12 V
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  • RHFLVDS2281军工/航天级RHA

    Rad-hard, dual 4x4 crosspoint switch LVDS

    厂商 意法半导体工作温度 -55 ~ 125 °C
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  • RHFLVDS228A军工/航天级QML-VRHA

    Rad-hard, dual 4x4 crosspoint switch LVDS

    厂商 意法半导体工作温度 -55 ~ 125 °C
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  • RHFLVDS41军工/航天级RHA

    Rad-hard 2.5 V quad LVDS driver

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  • RHFLVDS42军工/航天级RHA

    Rad-hard 2.5 V quad LVDS receiver

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  • RHFLVDSR2D2军工/航天级RHA

    Rad-hard dual LVDS driver-receiver

    厂商 意法半导体工作温度 -55 ~ 125 °C
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  • Up to 4 V, 3 A step-down 2.3 MHz switching regulator for aerospace applications

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  • RT2901H工业级

    RobuST high-temperature low-power quad voltage comparators

    厂商 意法半导体封装 SO14工作温度 -40 ~ 150 °C封装 SO14
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  • RT2902工业级

    RobuST low-power quad operational amplifier

    厂商 意法半导体封装 SO14工作温度 -40 ~ 125 °C封装 SO14
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  • RT2903H工业级

    RobuST low-power dual voltage comparators

    厂商 意法半导体封装 SO8工作温度 -40 ~ 150 °C输入电压 2 ~ 6 V
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  • RT2904WH工业级

    RobuST low-power dual operational amplifier

    厂商 意法半导体封装 SO8工作温度 -40 ~ 150 °C输入电压 3 ~ 30 V
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  • S2-LPTX工业级

    Sub-1 GHz proprietary radio transmitter

    厂商 意法半导体工作温度 -40 ~ 105 °C
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  • SCT012H90G3AG车规级AEC-Q101

    Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mΩ typ., 110 A in an H²PAK-7 package

    厂商 意法半导体VDS 900 VID 110 A
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  • SCT012W90G3-4AG车规级AEC-Q101

    Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mΩ typ., 110 A in an HiP247-4 package

    厂商 意法半导体VDS 900 VID 110 A
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  • SCT012W90G3AG车规级AEC-Q101

    Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mΩ typ., 110 A in an HiP247 package

    厂商 意法半导体VDS 900 VID 110 A
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  • Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mΩ typ., 129 A in an HiP247-4 package

    厂商 意法半导体VDS 1200 VID 129 A
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  • SCT015W120G3-4AG车规级AEC-Q101

    Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mΩ typ., 129 A in an HiP247-4 package

    厂商 意法半导体VDS 1200 VID 129 A
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  • SCT016H120G3AG车规级AEC-Q101

    Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mΩ typ., 112 A in an H²PAK-7 package

    厂商 意法半导体VDS 1200 VID 112 A
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  • Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mΩ typ., 55 A in an H²PAK-7 package

    厂商 意法半导体VDS 650 VID 55 A
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