SCT012W90G3AG

量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 900 VID 110 ARDS(on) 12 mΩ

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mΩ typ., 110 A in an HiP247 package

手册
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SCT012W90G3AG 主要参数

来源:原厂数据手册
VDS900 V
ID110 A
RDS(on)12 mΩ

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