STPSC30G065

量产SiC / GaN 宽禁带器件工作温度 -55 ~ 175 °CVDS 650 VID 30 A封装 DO-247

650 V, 30 A high surge silicon carbide power Schottky diode

封装
DO-247
手册
10 页 · 654 KB

资料有误或侵权？反馈给我们

STPSC30G065 主要参数

来源：原厂数据手册
工作温度-55 ~ 175 °C
VDS650 V
ID30 A
封装DO-247

技术文档

1 份文档

数据手册

替代料

0 个
暂未收录 STPSC30G065 的替代料信息。