STPSC30G065L2Y

量产SiC / GaN 宽禁带器件工作温度 -55 ~ 175 °CVDS 650 VID 30 A

Automotive 650 V, 30 A high surge silicon carbide power Schottky diode

手册
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STPSC30G065L2Y 主要参数

来源:原厂数据手册
工作温度-55 ~ 175 °C
VDS650 V
ID30 A

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