STPSC15H12-Y
量产SiC / GaN 宽禁带器件工作温度 -40 ~ 175 °C
Automotive grade 1200 V power Schottky silicon carbide diode
- 手册
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STPSC15H12-Y 主要参数
来源:原厂数据手册| 工作温度 | -40 ~ 175 °C |
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Automotive grade 1200 V power Schottky silicon carbide diode
| 工作温度 | -40 ~ 175 °C |
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