STPSC15H12G2Y-TR
量产SiC / GaN 宽禁带器件工作温度 -40 ~ 175 °CVDS 1200 VID 15 A封装 D2PAK
Automotive 1200 V, 15 A, silicon carbide power Schottky diode
- 封装
- D2PAK
- 手册
- 11 页 · 373 KB
STPSC15H12G2Y-TR 主要参数
来源：原厂数据手册| 工作温度 | -40 ~ 175 °C |
|---|---|
| VDS | 1200 V |
| ID | 15 A |
| 封装 | D2PAK |
技术文档
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替代料
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