SCT040W65G3-4

量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 650 VID 30 ARDS(on) 45 mΩ

Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mΩ typ., 30 A in an HiP247-4 package

手册
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SCT040W65G3-4 主要参数

来源:原厂数据手册
VDS650 V
ID30 A
RDS(on)45 mΩ

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