SCT040W65G3-4
量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 650 VID 30 ARDS(on) 45 mΩ
Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mΩ typ., 30 A in an HiP247-4 package
- 手册
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SCT040W65G3-4 主要参数
来源:原厂数据手册| VDS | 650 V |
|---|---|
| ID | 30 A |
| RDS(on) | 45 mΩ |
技术文档
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替代料
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