SCT027TO65G3

状态未知SiC / GaN 宽禁带器件VDS 650 VID 60 ARDS(on) 29 mΩ

Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mΩ typ., 60 A in a TO-LL package

手册
15 页 · 1.8 MB · Rev 2

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SCT027TO65G3 主要参数

来源：原厂数据手册
VDS650 V
ID60 A
RDS(on)29 mΩ

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