SCT019HU120G3AG
量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 1200 VID 90 ARDS(on) 19.2 mΩ
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mΩ typ., 90 A in an HU3PAK package
- 手册
- 15 页 · 924 KB
SCT019HU120G3AG 主要参数
来源：原厂数据手册| VDS | 1200 V |
|---|---|
| ID | 90 A |
| RDS(on) | 19.2 mΩ |
技术文档
1 份文档数据手册
替代料
0 个暂未收录 SCT019HU120G3AG 的替代料信息。