SiC / GaN 宽禁带器件

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  • STGWA60V60DWFAG车规级AEC-Q101

    Automotive-grade trench gate field-stop 600 V, 60 A very high speed V series IGBT featuring freewheeling SiC diode

    厂商 意法半导体封装 TO-247VDS 600 VID 60 A
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  • STPSC10H12C工业级

    1200 V power Schottky silicon carbide diode

    厂商 意法半导体封装 TO-247工作温度 -40 ~ 175 °C封装 TO-247
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  • STPSC16H065A工业级

    650 V power Schottky silicon carbide rectifier

    厂商 意法半导体封装 TO-247工作温度 -40 ~ 175 °C封装 TO-247
    1 份文档
  • STPSC20065C工业级

    650 V, dual 10 A, power Schottky silicon carbide diode

    厂商 意法半导体封装 TO-247工作温度 -40 ~ 175 °CVDS 650 V
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  • STPSC2006CW

    600 V power Schottky silicon carbide diode

    厂商 意法半导体封装 TO-247封装 TO-247
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  • STPSC20H065C-Y车规级AEC-Q101

    Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode

    厂商 意法半导体封装 TO-220AB封装 TO-220AB
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  • STPSC20H065C

    650 V power Schottky silicon carbide diode

    厂商 意法半导体封装 TO-220AB封装 TO-220AB
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  • STPSC20H065CWLY车规级AEC-Q101

    Automotive 20 A 650 V power Schottky silicon carbide diode

    厂商 意法半导体封装 TO-247工作温度 -40 ~ 175 °C封装 TO-247
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  • STPSC20H12工业级

    1200 V, 20 A power Schottky silicon carbide diode

    厂商 意法半导体封装 TO-247工作温度 -40 ~ 175 °CVDS 1200 V
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  • STPSC20H12C工业级

    1200 V power Schottky silicon carbide diode

    厂商 意法半导体封装 TO-247工作温度 -40 ~ 175 °C封装 TO-247
    1 份文档
  • STPSC20H12CWY车规级AEC-Q101

    20 A 1200 V power Schottky silicon carbide diode

    厂商 意法半导体封装 TO-247工作温度 -40 ~ 175 °C封装 TO-247
    1 份文档
  • STPSC30H12C工业级

    1200 V power Schottky silicon carbide diode

    厂商 意法半导体封装 TO-247工作温度 -40 ~ 175 °C封装 TO-247
    1 份文档
  • STPSC31H12C-Y车规级AEC-Q101

    2 X 15 A, 1200 V power Schottky silicon carbide diode

    厂商 意法半导体封装 TO-247工作温度 -40 ~ 175 °C封装 TO-247
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  • STPSC40065C-Y车规级AEC-Q101

    Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode

    厂商 意法半导体封装 TO-247工作温度 -40 ~ 175 °C封装 TO-247
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  • STPSC40065C

    650 V power Schottky silicon carbide diode

    厂商 意法半导体封装 TO-247封装 TO-247
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  • STPSC40H12C-Y车规级AEC-Q101

    40 A 1200 V power Schottky silicon carbide diode

    厂商 意法半导体封装 TO-247工作温度 -40 ~ 175 °C封装 TO-247
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  • STPSC40H12C工业级

    1200 V, 40 A power Schottky silicon carbide diode

    厂商 意法半导体封装 TO-247工作温度 -40 ~ 175 °CVDS 1200 V
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  • STPSC8H065C

    650 V power Schottky silicon carbide diode

    厂商 意法半导体封装 TO-220AB封装 TO-220AB
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  • NCV51705车规级

    Single 6 A High-Speed, Low-Side SiC MOSFET Driver

    厂商 安森美封装 QFN24封装 QFN24
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  • NDSH10120C

    Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 10 A, 1200 V, D3, TO-247-2L

    厂商 安森美封装 TO-247封装 TO-247
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