STPSC4H065DLF
量产SiC / GaN 宽禁带器件工作温度 -40 ~ 175 °C封装 POWERFLAT8X8
650 V power Schottky silicon carbide diode
- 封装
- POWERFLAT8X8
- 手册
- 12 页 · 377 KB
STPSC4H065DLF 主要参数
来源：原厂数据手册| 工作温度 | -40 ~ 175 °C |
|---|---|
| 封装 | POWERFLAT8X8 |
技术文档
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替代料
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