SCTWA90N65G2V-4

量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 650 VID 119 ARDS(on) 18 mΩ

Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mΩ typ., 119 A in an HiP247-4 package

手册
12 页 · 469 KB

资料有误或侵权?反馈给我们

SCTWA90N65G2V-4 主要参数

来源:原厂数据手册
VDS650 V
ID119 A
RDS(on)18 mΩ

技术文档

1 份文档

替代料

0 个
暂未收录 SCTWA90N65G2V-4 的替代料信息。