SCTW40N120G2VAG
量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 1200 VID 33 ARDS(on) 75 mΩ
Automotive‑grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mΩ typ., 33 A in an HiP247 package
- 手册
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SCTW40N120G2VAG 主要参数
来源：原厂数据手册| VDS | 1200 V |
|---|---|
| ID | 33 A |
| RDS(on) | 75 mΩ |
技术文档
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替代料
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