SCT055H65G3AG

量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 650 VID 30 ARDS(on) 58 mΩ

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mΩ typ., 30 A in an H²PAK-7 package

手册
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SCT055H65G3AG 主要参数

来源:原厂数据手册
VDS650 V
ID30 A
RDS(on)58 mΩ

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