SCT055H65G3AG
量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 650 VID 30 ARDS(on) 58 mΩ
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mΩ typ., 30 A in an H²PAK-7 package
- 手册
- 14 页 · 680 KB
SCT055H65G3AG 主要参数
来源:原厂数据手册| VDS | 650 V |
|---|---|
| ID | 30 A |
| RDS(on) | 58 mΩ |
技术文档
1 份文档数据手册
替代料
0 个暂未收录 SCT055H65G3AG 的替代料信息。