SCT027H65G3AG
量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 650 VID 60 ARDS(on) 29 mΩ
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mΩ typ., 60 A in an H²PAK-7 package
- 手册
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SCT027H65G3AG 主要参数
来源：原厂数据手册| VDS | 650 V |
|---|---|
| ID | 60 A |
| RDS(on) | 29 mΩ |
技术文档
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替代料
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