SCT014TO65G3
量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 650 VID 110 ARDS(on) 13.5 mΩ
Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 13.5 mΩ typ., 110 A in a TO-LL package
- 手册
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SCT014TO65G3 主要参数
来源：原厂数据手册| VDS | 650 V |
|---|---|
| ID | 110 A |
| RDS(on) | 13.5 mΩ |
技术文档
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替代料
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