UJ4N075005K4S
量产SiC / GaN 宽禁带器件RDS(on) 4.8 mΩ封装 TO247
Silicon Carbide (SiC) JFET – EliteSiC, Power N‐Channel, TO247‐4, 750 V, 4.8 mohm
- 封装
- TO247
- 手册
- 9 页 · 423 KB
UJ4N075005K4S 主要参数
来源：原厂数据手册| RDS(on) | 4.8 mΩ |
|---|---|
| 封装 | TO247 |
技术文档
1 份文档数据手册
替代料
0 个暂未收录 UJ4N075005K4S 的替代料信息。