UJ4N075004L8S
量产SiC / GaN 宽禁带器件RDS(on) 4.3 mΩ
Silicon Carbide (SiC) JFET – EliteSiC, Power N‐Channel, H-PDSO-F8, 750 V, 4.3 mohm
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UJ4N075004L8S 主要参数
来源：原厂数据手册| RDS(on) | 4.3 mΩ |
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Silicon Carbide (SiC) JFET – EliteSiC, Power N‐Channel, H-PDSO-F8, 750 V, 4.3 mohm
| RDS(on) | 4.3 mΩ |
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