UJ3C065030T3S
量产SiC / GaN 宽禁带器件RDS(on) 27 mΩ封装 TO220
Silicon Carbide (SiC) Cascode JFET - EliteSiC, Power N‐Channel, TO220‐3, 650 V, 27 mohm
- 封装
- TO220
- 手册
- 12 页 · 469 KB
UJ3C065030T3S 主要参数
来源：原厂数据手册| RDS(on) | 27 mΩ |
|---|---|
| 封装 | TO220 |
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替代料
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