NDSH30120C

量产SiC / GaN 宽禁带器件封装 TO-247

Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 30 A, 1200 V, D3, TO-247-2L

封装
TO-247
手册
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NDSH30120C 主要参数

来源:原厂数据手册
封装TO-247

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