UF4C120053K3S
量产SiC / GaN 宽禁带器件RDS(on) 53 mΩ封装 TO247-3
Silicon Carbide (SiC) Cascode JFET - EliteSiC, Power N-Channel, TO247-3, 1200 V, 53 mohm
- 封装
- TO247-3
- 手册
- 11 页 · 541 KB
UF4C120053K3S 主要参数
来源：原厂数据手册| RDS(on) | 53 mΩ |
|---|---|
| 封装 | TO247-3 |
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