UF4C120053B7S
量产SiC / GaN 宽禁带器件RDS(on) 53 mΩ封装 TO-263-7
Silicon Carbide (SiC) Cascode JFET – EliteSiC, Power N‐Channel, TO‐263‐7, 1200 V, 53 mohm
- 封装
- TO-263-7
- 手册
- 11 页 · 656 KB
UF4C120053B7S 主要参数
来源：原厂数据手册| RDS(on) | 53 mΩ |
|---|---|
| 封装 | TO-263-7 |
技术文档
1 份文档数据手册
替代料
0 个暂未收录 UF4C120053B7S 的替代料信息。