NXVF1240M3TG81

量产SiC / GaN 宽禁带器件RDS(on) 40 mΩ

EliteSiC Power MOSFET Module 1200 V, 40 mΩ H‐Bridge

手册
10 页 · 359 KB

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NXVF1240M3TG81 主要参数

来源:原厂数据手册
RDS(on)40 mΩ

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