NXVF1240M3TG81
量产SiC / GaN 宽禁带器件RDS(on) 40 mΩ
EliteSiC Power MOSFET Module 1200 V, 40 mΩ H‐Bridge
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NXVF1240M3TG81 主要参数
来源:原厂数据手册| RDS(on) | 40 mΩ |
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EliteSiC Power MOSFET Module 1200 V, 40 mΩ H‐Bridge
| RDS(on) | 40 mΩ |
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