NVHL020N120SC1

量产SiC / GaN 宽禁带器件RDS(on) 20 mΩ封装 TO-247

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 20 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L

封装
TO-247
手册
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NVHL020N120SC1 主要参数

来源：原厂数据手册
RDS(on)20 mΩ
封装TO-247

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