NXH80B120MNQ0
量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 1200 VID 20 ARDS(on) 80 mΩ
Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 80 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V + 20 A, 1200 V SiC Diode, Two Channel Full SiC Boost, Q0 Package
- 手册
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NXH80B120MNQ0 主要参数
来源：原厂数据手册| VDS | 1200 V |
|---|---|
| ID | 20 A |
| RDS(on) | 80 mΩ |
技术文档
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替代料
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