NTH4LN022N120M3S
状态未知SiC / GaN 宽禁带器件RDS(on) 19 mΩ封装 TO-247
Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 1200 V, M3S, TO‐247‐4L, Thin Leads
- 封装
- TO-247
- 手册
- 9 页 · 401 KB · Rev. 2
NTH4LN022N120M3S 主要参数
来源：原厂数据手册| RDS(on) | 19 mΩ |
|---|---|
| 封装 | TO-247 |
技术文档
1 份文档数据手册
替代料
0 个暂未收录 NTH4LN022N120M3S 的替代料信息。