NTH4LN070N120M3S
状态未知SiC / GaN 宽禁带器件RDS(on) 52 mΩ封装 TO247
Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 52 mohm, 1200 V, M3S, TO247‐4L, Thin Leads
- 封装
- TO247
- 手册
- 9 页 · 400 KB · Rev. 2
NTH4LN070N120M3S 主要参数
来源：原厂数据手册| RDS(on) | 52 mΩ |
|---|---|
| 封装 | TO247 |
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