NTHL030N120M3S
量产SiC / GaN 宽禁带器件RDS(on) 29 mΩ封装 TO-247
Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 29 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
- 封装
- TO-247
- 手册
- 8 页 · 546 KB
NTHL030N120M3S 主要参数
来源：原厂数据手册| RDS(on) | 29 mΩ |
|---|---|
| 封装 | TO-247 |
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