NTH4LN030N120M3S
量产SiC / GaN 宽禁带器件RDS(on) 24 mΩ封装 TO-247
Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 24 mohm, 1200 V, M3S, TO‐247‐4L, Thin Leads
- 封装
- TO-247
- 手册
- 9 页 · 402 KB
NTH4LN030N120M3S 主要参数
来源：原厂数据手册| RDS(on) | 24 mΩ |
|---|---|
| 封装 | TO-247 |
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