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  • TSB571工业级

    Low-power, 2.5 MHz, RR IO, 36 V BiCMOS operational amplifier

    厂商 意法半导体封装 DFN8工作温度 -40 ~ 125 °C输入电压 4 ~ 36 V
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  • LD56050工业级

    500 mA ultra-low dropout linear regulator with bias supply

    厂商 意法半导体封装 DFN4工作温度 -40 ~ 85 °C输入电压 0.8 ~ 5.5 V
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  • STEL12H24工业级

    Electronic switch for 12 V, 5 V and 3.3 V buses

    厂商 意法半导体封装 DFN12工作温度 -40 ~ 125 °C封装 DFN12
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  • NCP700工业级

    200 mA, Ultra Low Noise, High PSSR, BiCMOS RF LDO Regulator

    厂商 安森美封装 DFN6工作温度 -40 ~ 85 °C封装 DFN6
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  • STPSC10H12C工业级

    1200 V power Schottky silicon carbide diode

    厂商 意法半导体封装 TO-247工作温度 -40 ~ 175 °C封装 TO-247
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  • STPSC16H065A工业级

    650 V power Schottky silicon carbide rectifier

    厂商 意法半导体封装 TO-247工作温度 -40 ~ 175 °C封装 TO-247
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  • STPSC20065C工业级

    650 V, dual 10 A, power Schottky silicon carbide diode

    厂商 意法半导体封装 TO-247工作温度 -40 ~ 175 °CVDS 650 V
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  • STPSC20H12工业级

    1200 V, 20 A power Schottky silicon carbide diode

    厂商 意法半导体封装 TO-247工作温度 -40 ~ 175 °CVDS 1200 V
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  • STPSC20H12C工业级

    1200 V power Schottky silicon carbide diode

    厂商 意法半导体封装 TO-247工作温度 -40 ~ 175 °C封装 TO-247
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  • STPSC30H12C工业级

    1200 V power Schottky silicon carbide diode

    厂商 意法半导体封装 TO-247工作温度 -40 ~ 175 °C封装 TO-247
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  • STPSC40H12C工业级

    1200 V, 40 A power Schottky silicon carbide diode

    厂商 意法半导体封装 TO-247工作温度 -40 ~ 175 °CVDS 1200 V
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