“E” 共 121 个型号· 1409 ms

  • STEF033工业级

    Electronic fuse for 3.3 V line

    厂商 意法半导体封装 DFN10工作温度 -40 ~ 125 °C封装 DFN10
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  • STEF05工业级

    Electronic fuse for 5 V line

    厂商 意法半导体封装 DFN10工作温度 -40 ~ 125 °C封装 DFN10
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  • STEF05D工业级

    Electronic fuse for 5 V line

    厂商 意法半导体封装 DFN10工作温度 -40 ~ 125 °C封装 DFN10
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  • STEF05L工业级

    Electronic fuse for 5 V line -

    厂商 意法半导体封装 DFN10工作温度 -40 ~ 125 °C封装 DFN10
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  • STEF12工业级

    Electronic fuse for 12 V line

    厂商 意法半导体封装 DFN10工作温度 -40 ~ 125 °C封装 DFN10
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  • STEF12E工业级

    Electronic fuse for 12 V line

    厂商 意法半导体封装 DFN10工作温度 -40 ~ 125 °C封装 DFN10
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  • STEL12H24工业级

    Electronic switch for 12 V, 5 V and 3.3 V buses

    厂商 意法半导体封装 DFN12工作温度 -40 ~ 125 °C封装 DFN12
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  • STTS424E02不推荐新设计工业级

    Memory module temperature sensor with a 2 Kb SPD EEPROM

    厂商 意法半导体封装 DFN8工作温度 -40 ~ 125 °C输入电压 2.7 ~ 3.6 V
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  • TESEO-ELE6A工业级

    Automotive quad-band GNSS module with open SDK

    厂商 意法半导体工作温度 -40 ~ 105 °C
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  • TESEO-LIV3FL工业级

    Tiny low power GNSS module

    厂商 意法半导体工作温度 -40 ~ 85 °C输入电压 1.75 ~ 4.2 V
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  • TESEO-LIV4F工业级

    Tiny dual-band GNSS low power and measurement engine modules

    厂商 意法半导体工作温度 -40 ~ 85 °C输入电压 3 ~ 3.63 V
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  • TESEO-VIC6A工业级

    Automotive quad-bands GNSS module with 6-axis IMU

    厂商 意法半导体工作温度 -40 ~ 105 °C
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  • LPS27DEWO工业级

    Dual full-scale, 1260 hPa and 6060 hPa, absolute digital output barometer in a water-resistant package

    厂商 意法半导体工作温度 -40 ~ 85 °C输入电压 1.7 ~ 3.6 V
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  • MASTERGAN1L工业级

    600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver

    厂商 意法半导体工作温度 -40 ~ 125 °C
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  • MASTERGAN4L工业级

    600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver

    厂商 意法半导体工作温度 -40 ~ 125 °C
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  • STEF12H60M工业级

    60 A electronic fuse for 12 V DC rail

    厂商 意法半导体封装 QFN32工作温度 -40 ~ 125 °C输入电压 5 ~ 18 V
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  • MASTERGAN1工业级

    High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT

    厂商 意法半导体工作温度 -40 ~ 125 °C
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  • MASTERGAN2工业级

    High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT

    厂商 意法半导体工作温度 -40 ~ 125 °C
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  • MASTERGAN3工业级

    High power density 600 V Half bridge driver with two enhancement mode GaNHEMT

    厂商 意法半导体工作温度 -40 ~ 125 °C
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  • MASTERGAN4工业级

    High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT

    厂商 意法半导体工作温度 -40 ~ 125 °C
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