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工业级 军工/航天级 TO 清除筛选
  • LD1084工业级

    5 A low-drop positive voltage regulator adjustable

    厂商 意法半导体封装 TO-220工作温度 -40 ~ 125 °C输出电流 5 A
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  • LD1085工业级

    3 A low drop positive voltage regulator: adjustable and fixed

    厂商 意法半导体封装 TO-220工作温度 -40 ~ 125 °C输出电流 3 A
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  • LD1086工业级

    厂商 意法半导体封装 TO-220工作温度 -40 ~ 125 °C输出电流 1.5 A
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  • STF11N60M2-EP军工/航天级

    N-channel 600 V, 0.550 Ω typ., 7.5 A MDmesh™ M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP package

    厂商 意法半导体封装 TO-220FPVDS 600 VID 7.5 A
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  • STF20N60M2-EP军工/航天级

    N-channel 600 V, 0.230 Ω typ., 13 A, MDmesh™ M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP package

    厂商 意法半导体封装 TO-220FPVDS 600 VID 13 A
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  • STF25N60M2-EP军工/航天级

    N-channel 600 V, 0.175 Ω typ., 18 A MDmesh™ M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP package

    厂商 意法半导体封装 TO-220FPVDS 600 VID 18 A
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  • STF27N60M2-EP军工/航天级

    N‑channel 600 V, 150 mΩ typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package

    厂商 意法半导体封装 TO-220FPVDS 600 VID 20 A
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  • STF42N60M2-EP军工/航天级

    N‑channel 600 V, 76 mΩ typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package

    厂商 意法半导体封装 TO-220FPVDS 600 VID 34 A
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  • STP15N60M2-EP军工/航天级

    N-channel 600 V, 0.340 Ω typ., 11 A MDmesh™ M2 EP Power MOSFET in a TO-220 package

    厂商 意法半导体封装 TO-220VDS 600 VID 11 A
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  • STP20N60M2-EP军工/航天级

    N-channel 600 V, 0.230 Ω typ., 13 A MDmesh™ M2 EP Power MOSFET in a TO-220 package

    厂商 意法半导体封装 TO-220VDS 600 VID 13 A
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  • STP25N60M2-EP军工/航天级

    N-channel 600 V, 175 mΩ typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 package

    厂商 意法半导体封装 TO-220VDS 600 VID 18 A
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  • STPSC10H12C工业级

    1200 V power Schottky silicon carbide diode

    厂商 意法半导体封装 TO-247工作温度 -40 ~ 175 °C封装 TO-247
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  • STPSC16H065A工业级

    650 V power Schottky silicon carbide rectifier

    厂商 意法半导体封装 TO-247工作温度 -40 ~ 175 °C封装 TO-247
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  • STPSC20065C工业级

    650 V, dual 10 A, power Schottky silicon carbide diode

    厂商 意法半导体封装 TO-247工作温度 -40 ~ 175 °CVDS 650 V
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  • STPSC20H12工业级

    1200 V, 20 A power Schottky silicon carbide diode

    厂商 意法半导体封装 TO-247工作温度 -40 ~ 175 °CVDS 1200 V
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  • STPSC20H12C工业级

    1200 V power Schottky silicon carbide diode

    厂商 意法半导体封装 TO-247工作温度 -40 ~ 175 °C封装 TO-247
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  • STPSC30H12C工业级

    1200 V power Schottky silicon carbide diode

    厂商 意法半导体封装 TO-247工作温度 -40 ~ 175 °C封装 TO-247
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  • STPSC40H12C工业级

    1200 V, 40 A power Schottky silicon carbide diode

    厂商 意法半导体封装 TO-247工作温度 -40 ~ 175 °CVDS 1200 V
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  • STW25N60M2-EP军工/航天级

    N-channel 600 V, 175 mΩ typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package

    厂商 意法半导体封装 TO-247VDS 600 VID 18 A
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  • STW27N60M2-EP军工/航天级

    N‑channel 600 V, 150 mΩ typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package

    厂商 意法半导体封装 TO-247VDS 600 VID 20 A
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