“3” 共 14 个型号· 25 ms

  • Power MOSFET -3.05 Amps, -30 Volts P-Channel SOIC-8

    厂商 安森美封装 SOIC-8封装 SOIC-8
    1 份文档
  • MOSFET – P-Channel, POWERTRENCH® -30 V, -8.8 A, 20 mΩ

    厂商 安森美封装 SOIC8VDS 30 VID 8.8 A
    1 份文档
  • NTMD3P03R2车规级AEC-Q101

    MOSFET – Power, Dual, P‐Channel, SOIC‐8 -3.05 A, -30 V

    厂商 安森美封装 SOIC-8封装 SOIC-8
    1 份文档
  • 厂商 安森美封装 SOIC-8封装 SOIC-8
    1 份文档
  • NSS40300MD车规级AEC-Q101

    Dual Matched 40 V, 6.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

    厂商 安森美封装 SOIC-8封装 SOIC-8
    1 份文档
  • NSS40302P车规级AEC-Q101

    Complementary 40 V, 6.0 A, Low VCE(sat) Transistor

    厂商 安森美封装 SOIC-8封装 SOIC-8
    1 份文档
  • NTMD6N03R2车规级AEC-Q101

    MOSFET — Power, Dual, N-Channel, SOIC-8 30 V, 6 A

    厂商 安森美封装 SOIC-8VDS 30 VID 6 A
    1 份文档
  • MOSFET — Power, N-Channel, SOIC-8 7 A, 30 V

    厂商 安森美封装 SOIC-8封装 SOIC-8
    1 份文档
  • Dual N- and P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

    厂商 安森美封装 SOIC8封装 SOIC8
    1 份文档
  • Power MOSFET -30 V, -9.6 A, P-Channel, SOIC-8

    厂商 安森美封装 SOIC-8VDS 30 VID 9.6 A
    1 份文档
  • Power MOSFET and Schottky Diode 30 V, 5.7 A, Single N-Channel with 30 V, 2.8 A, Schottky Barrier Diode

    厂商 安森美封装 SOIC-8VDS 30 VID 5.7 A
    1 份文档
  • MOSFET – Power, P-Channel, SOIC-8 -30 V, -11.4 A

    厂商 安森美封装 SOIC-8VDS 30 VID 11.4 A
    1 份文档
  • MOSFET – Power, Dual, N-Channel, SOIC-8 30 V, 8 A

    厂商 安森美封装 SOIC-8VDS 30 VID 8 A
    1 份文档
  • MOSFET — Power, Dual, N-Channel, SOIC-8 30 V, 7.5 A

    厂商 安森美封装 SOIC-8VDS 30 VID 7.5 A
    1 份文档