NTMS4177P
量产MOSFETVDS 30 VID 11.4 A封装 SOIC-8
MOSFET – Power, P-Channel, SOIC-8 -30 V, -11.4 A
- 封装
- SOIC-8
- 手册
- 7 页 · 241 KB
NTMS4177P 主要参数
来源:原厂数据手册| VDS | 30 V |
|---|---|
| ID | 11.4 A |
| 封装 | SOIC-8 |
技术文档
1 份文档数据手册
替代料
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MOSFET – Power, P-Channel, SOIC-8 -30 V, -11.4 A
| VDS | 30 V |
|---|---|
| ID | 11.4 A |
| 封装 | SOIC-8 |