SI4435DY
量产MOSFETVDS 30 VID 8.8 ARDS(on) 20 mΩ封装 SOIC8
MOSFET – P-Channel, POWERTRENCH® -30 V, -8.8 A, 20 mΩ
- 封装
- SOIC8
- 手册
- 6 页 · 283 KB
SI4435DY 主要参数
来源:原厂数据手册| VDS | 30 V |
|---|---|
| ID | 8.8 A |
| RDS(on) | 20 mΩ |
| 封装 | SOIC8 |
技术文档
1 份文档数据手册
替代料
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MOSFET – P-Channel, POWERTRENCH® -30 V, -8.8 A, 20 mΩ
| VDS | 30 V |
|---|---|
| ID | 8.8 A |
| RDS(on) | 20 mΩ |
| 封装 | SOIC8 |