STPSC8H065-Y
量产SiC / GaN 宽禁带器件工作温度 -40 ~ 175 °CVDS 650 VID 8 A封装 DPAK
Automotive 650 V, 8 A high surge silicon carbide power Schottky diode
- 封装
- DPAK
- 手册
- 12 页 · 607 KB
STPSC8H065-Y 主要参数
来源：原厂数据手册| 工作温度 | -40 ~ 175 °C |
|---|---|
| VDS | 650 V |
| ID | 8 A |
| 封装 | DPAK |
技术文档
1 份文档数据手册
替代料
0 个暂未收录 STPSC8H065-Y 的替代料信息。