STPSC4G065UF
量产SiC / GaN 宽禁带器件工作温度 -55 ~ 175 °CVDS 650 VID 4 A封装 SMB
650 V, 4 A high surge silicon carbide power Schottky diode
- 封装
- SMB
- 手册
- 9 页 · 490 KB
STPSC4G065UF 主要参数
来源：原厂数据手册| 工作温度 | -55 ~ 175 °C |
|---|---|
| VDS | 650 V |
| ID | 4 A |
| 封装 | SMB |
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替代料
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