SCTW70N120G2V
量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 1200 VID 91 ARDS(on) 21 mΩ
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mΩ typ., 91 A in an HiP247 package
- 手册
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SCTW70N120G2V 主要参数
来源：原厂数据手册| VDS | 1200 V |
|---|---|
| ID | 91 A |
| RDS(on) | 21 mΩ |
技术文档
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替代料
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